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日立FIB-SEM三束系统

简要描述:日立FIB-SEM三束系统追求的TEM样品制备工具
在设备及高性能纳米材料的评价和分析领域,FIB-SEM已成为*的工具。
近来,目标观察物更趋微细化;更薄,更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。

  • 产品型号:NX2000
  • 厂商性质:经销商
  • 更新时间:2022-03-07
  • 访  问  量:283
产品详情

日立FIB-SEM三束系统追求的TEM样品制备工具

设备及高性能纳米材料的评价和分析领域,FIB-SEM已成为*的工具。
近来,目标观察物更趋微细化;更薄,更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司,整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术,再加上加工方向控制技术以及Triple Beam®*1(选配)技术,推出了新一代产品NX2000


运用高对比度,实时SEM观察和加工终点检测功能,可制备厚度小于20 nm的超薄样品





FIB加工时的实时SEM观察*2
样品:NAND闪存
加速电压:1 kV
FOV:0.6 µm

加工方向控制技术(Micro-sampling®*3系统(选配)+高精度/高速样品台)对于抑制窗帘效应的产生,以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。


加工方向控制


常规加工时

Triple Beam®*1(选配)可提高加工效率,并能使消除FIB损伤自动化

EB:Electron Beam(电子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦离子束)
Ar:Ar ion beam(Ar离子束)


项目内容
FIB镜筒
分辨率4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速电压0.5~30 kV
束流0.05 pA ~ 100 nA
FE-SEM镜筒
分辨率2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速电压0.5~30 kV
电子枪冷场场发射型
探测器
標準検出器In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器
样品台X:0 ~ 205 mm
Y:0 ~ 205 mm
Z:0 ~ 10 mm
R:0 ~ 360°连续
T:-5 ~ 60°


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