首页 > 技术文章 > 半导体器件参数测试方案

半导体器件参数测试方案

2023-06-12 [368]

静态Static (DC) 测试: 客户的设计目标是优化开关状态下的电气性能。泰克的SMU仪器、系统或参数曲线跟踪器用于执行诸如此类的关键测试.


与硅相比,测试WBG功率器件在更高的功率级别下需要更好的分辨率和更快的速度。测试可以分为两大类

国内第三代半导体现状 • 

SiC为代表的第3代半导体因其优越的性能在装备制造、5G、智能 电网、新能源汽车等行业收到了广泛的热捧。 

当前,我国在第三代半导体方面给予了很大的政策扶持,半导体技术和 欧美日韩等国家的差距在缩小但仍然较大。 

SiC为代表的第3代半导体发展迅速,与Si器件相比性能显著,但缺点 亦为明显,成本和工艺等问题仍为目前大规模应用的挑战。 

当前是进入第3代半导体产业的最佳窗口期,也是中国半导体技术与国外 追赶甚至超越欧美日韩等国家的宝贵时期。

国际合作氛围融洽,市场的多元性和需求梯度驱动第3代半导体发展明显, 国内外企业、机构积极布局

image.png

扫一扫,关注微信
地址:北京市房山区中粮健康科技园区 传真:010-68189331
©2024 北京宣毅科技有限公司 版权所有 All Rights Reserved.  备案号:京ICP备2022007855号-1